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http://bdtd.uftm.edu.br/handle/123456789/2057| Tipo: | Dissertação |
| Título: | Síntese de cristais de HgI2 por evaporação isotérmica de solvente através da análise dos diagramas de Ostwald-Miers |
| Autor(es): | AZEVEDO, Gabriele Nascimento de |
| Primeiro Orientador: | CONDELES, José Fernando |
| Resumo: | Cristais de iodeto de mercúrio (HgI2), de dimensões da ordem de milímetros, foram obtidos através da técnica de Evaporação Isotérmica de Solvente (EIS) usando acetona e éter etílico como solventes, em temperaturas controladas. Ainda, cristais foram também crescidos, usando esses mesmos solventes, juntamente com N,N-dimetilformamida (DMF). Existe um grande interesse em materiais semicondutores com número atômico alto e banda proibida larga, para aplicações como detectores de radiação ionizante à temperatura ambiente, usando o método direto de detecção. Materiais como o HgI2, PbI2, TlBr e CdTe são fotocondutores e exemplos de materiais que apresentam essas condições. O HgI2 apresenta uma banda proibida de 2,13 eV, uma densidade de massa de 6.36 g/cm3 e número atômico alto (ZHg=80, ZI=53). Juntamente com a técnica de evaporação isotérmica de solvente, experimentos foram realizados para determinar a região metaestável do diagrama de Ostwald-Miers durante o processo de cristalização a partir de sete diferentes soluções de HgI2. As amostras foram separadas em grupos, onde os parâmetros como temperatura, concentração, volume e natureza do solvente foram alteradas, para melhor compreendê-las. O crescimento dos cristais de HgI2 foi associado com os diagramas de Ostwald-Miers para cada solvente usado. O cristal regular final apresentou comprimento de aproximadamente 4,0 mm e foi obtido usando ambos os solventes, éter etílico e acetona. Os mecanismos de crescimento dos cristais serão discutidos, juntamente com as medidas de transporte elétrico. |
| Abstract: | In this research, crystals of mercury iodide (HgI2), with millimetric dimensions, were obtained through the technique of Isothermal Solvent Evaporation (ISE), making use of acetone and ethyl ether as solvents, at controlled temperatures. In addition, crystals were also grown, using these same solvents, together with N,N-dimethylformamide (DMF). There is a great interest in semiconductor materials with high atomic number and wide-bandgap, for applications such as ionizing radiation detectors at room temperature, using the direct detection method. Materials such as HgI2, PbI2, TlBr and CdTe are photoconductors and are examples of devices that present these conditions. HgI2has a band gap of 2.13 eV, a mass density of 6.36 g/cm3 and a high atomic number (ZHg=80, ZI=53). Along with the isothermal solvent evaporation technique, experiments were carried out to determine the metastable region of the Ostwald-Miers diagram during the crystallization process from seven different HgI2 solutions. The samples were separated into groups, where parameters such as temperature, concentration, volume, and solvent nature were changed for a better understanding of them. The growth of HgI2 crystals was associated with Ostwald-Miers diagrams for each solvent used. The final regular crystal had a length of roughly 4.0 mm and was obtained using both solvents, ethyl ether and acetone. Crystal growth mechanisms will be discussed, along with electrical transport measurements. |
| Palavras-chave: | Iodeto de mercúrio. Evaporação Isotérmica de solvente. Semicondutores cristalinos. Detectores. Mercury iodide. Isothermal solvent evaporation. Crystalline semiconductors. Detectors. |
| CNPq: | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Editor: | Universidade Federal do Triângulo Mineiro |
| Sigla da Instituição: | UFTM |
| metadata.dc.publisher.department: | Instituto de Ciências Biológicas e Naturais - ICBN |
| metadata.dc.publisher.program: | Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia dos Materiais |
| Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://bdtd.uftm.edu.br/handle/123456789/2057 |
| Data do documento: | 16-Dez-2021 |
| Aparece nas coleções: | Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais |
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